Транзисторите с полеви ефект се различават от биполярните транзистори по това, че работят само с един от електроните или дупките. Според структурата и принципа той може да бъде разделен на:
. Ефективна тръба на полето за свързване
. MOS тип полева тръба
1. Съединителен FET (възел FET)
1) Принцип
Както е показано на фигурата, транзисторът с полево въздействие на N-канал има структура, в която полупроводникът от тип N е затегнат от двете страни от портата на полупроводника от тип P. Областта на изчерпване, генерирана при подаване на обратно напрежение към PN прехода, се използва за управление на тока.
Когато DC напрежение се прилага към двата края на кристалната област от N-тип, електроните текат от източника към канализацията. Широчината на канала, през който преминават електроните, се определя от дифузираната от двете страни област от типа Р и отрицателното напрежение, приложено към тази област.
Когато отрицателното напрежение на затвора се засили, зоната на изчерпване на PN прехода се простира в канала и ширината на канала се намалява. Следователно източникът-източен ток може да се контролира от напрежението на електрода на затвора.
2) Използвайте
Дори ако напрежението на порта е нула, има токов поток, така че се използва за постоянни източници на ток или за аудио усилватели поради нисък шум.
2. MOS тип полева тръба
1) Принцип
Дори в структурата (MOS структурата) на метала (M) и полупроводника (S), затварящ оксидния филм (O), ако се прилага напрежение между (M) и полупроводника (S), може да има слой на изчерпване генерирани. В допълнение, когато се прилага по-високо напрежение, електроните или дупките могат да се натрупват под филм с кислороден цвят, за да образуват инверсионен слой. MOSFET се използва като превключвател.
В принципната схема на работа, ако напрежението на затвора е нула, PN връзката ще прекъсне тока, така че токът да не тече между източника и канализацията. Ако към портата се приложи положително напрежение, отворите на Р-тип полупроводник ще бъдат изхвърлени от оксидния филм - повърхността на полупроводника Р-тип под портата, за да образуват изчерпващ слой. Освен това, ако напрежението на затвора се увеличи отново, електроните ще бъдат привлечени към повърхността, за да образуват по-тънък инверсионен слой от N-тип, така че щифтът на източника (N-тип) и дренажът (N-тип) са свързани, позволявайки ток да тече.
2) Използвайте
Поради своята проста структура, бърза скорост, просто задвижване на порта, силна разрушителна сила и други характеристики и използването на технология за микроизработка, той може директно да подобри производителността, така че е широко използван във високочестотни устройства от базови LSI устройства до захранващи устройства (устройства за управление на мощността) и други полета.
3. Обща полева тръба
1) MOS полева тръба с ефект
Тоест полевата тръба с метален оксид-полупроводник, английското съкращение е MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor
Field-Effect-Transistor), който е изолиран тип порта. Основната му характеристика е, че между металната порта и канала има изолационен слой от силициев диоксид, така че той има много високо входно съпротивление (най-високо до 1015Ω). Той също е разделен на N-канална тръба и P-канална тръба, символът е показан на фигура 1. Обикновено субстратът (субстратът) и източникът S са свързани заедно. Според различния режим на проводимост, MOSFET се разделя на тип подобрение,
Тип изчерпване. Така нареченият подобрен тип се отнася до: когато VGS = 0, тръбата е в изключено състояние и след добавяне на правилния VGS, по-голямата част от носителите се привличат към портата, като по този начин "подобряват" носителите в тази област и образуват проводящ канал.
Типът на изчерпване означава, че когато VGS = 0, се формира канал и когато се добави правилния VGS, по-голямата част от носителите могат да изтекат от канала, като по този начин "изчерпват" носителите и изключват тръбата.
Като вземем за пример N канала, той е направен върху P-тип силициев субстрат с две източници на дифузия N + и области на дифузия на изтичане N + с висока концентрация на легиране и след това източникът S и дренажът D се извеждат съответно. Източникът на електрода и субстратът са свързани вътрешно и двете винаги поддържат една и съща електрическа енергия
Бит. Предната посока в символа на фигура 1 (а) е отвън към електричеството, което означава от материала от типа P (субстрат) към канала от тип N. Когато канализацията е свързана към положителния полюс на захранването, източникът е свързан към отрицателния полюс на захранването и VGS = 0, токът на канала (т.е. токът на източване
Поток) ID = 0. С постепенното увеличаване на VGS, привлечени от положителното напрежение на портата, отрицателно заредените малцинствени носители се индуцират между двете дифузионни области, образувайки N-тип канал от канализацията към източника. Когато VGS е по-голяма от тръбата на Когато напрежението на включване VTN (обикновено около + 2V), N-каналната тръба започва да провежда, образувайки ID на изтичащ ток.
MOS полевата тръба с ефект е по-"писклив". Това е така, защото входното му съпротивление е много високо, а капацитетът между портата и източника е много малък и е много податлив на зареждане от външното електромагнитно поле или електростатична индукция и може да се образува малко количество заряд на капацитета между електродите.
До много високо напрежение (U = Q / C) тръбата ще се повреди. Следователно щифтовете са усукани фабрично или са монтирани в метално фолио, така че G полюсът и S полюсът да имат еднакъв потенциал за предотвратяване на натрупването на статичен заряд. Когато тръбата не се използва, използвайте всички Проводниците също трябва да са къси. Бъдете особено внимателни при измерване и вземете съответните антистатични мерки.
2) Метод за откриване на MOS полева тръба
(1). Подготовка Преди измерване, късо съединете човешкото тяло на земята, преди да докоснете щифтовете на MOSFET. Най-добре е да свържете жица към китката, за да се свържете със земята, така че човешкото тяло и земята да поддържат еквипотенциал. Отделете щифтовете отново и след това отстранете проводниците.
(2). Електрод за определяне
Настройте мултиметъра на предавка R × 100 и първо определете мрежата. Ако съпротивлението на щифт и други щифтове са безкрайни, това доказва, че този щифт е решетката G. Обменете, тестът води до повторно измерване, стойността на съпротивлението между SD трябва да бъде от няколкостотин ома до няколко хиляди
О, когато стойността на съпротивлението е по-малка, черният изпитателен проводник е свързан към D полюса, а червеният изпитателен проводник е свързан към S полюса. За продуктите от серията 3SK, произведени в Япония, S полюсът е свързан с черупката, така че е лесно да се определи S полюса.
(3). Проверете възможността за усилване (свръхпроводимост)
Закачете G полюса във въздуха, свържете черния изпитателен проводник към D полюса, а червения изпитателен проводник към S полюса и след това докоснете G пръста с пръст, иглата трябва да има по-голямо отклонение. Транзисторът с полеви MOS с двойна порта има два порта G1 и G2. За да го различите, можете да го докоснете с ръце
Полюсите G1 и G2, полюсът G2 е този с по-голямото отклонение на стрелката на часовника вляво. Понастоящем някои MOSFET тръби са добавили защитни диоди между GS полюсите и не е необходимо да се къса всеки пин.
3) Предпазни мерки при използване на полеви транзистори с полеви ефект.
MOS транзисторите с полеви ефекти трябва да бъдат класифицирани, когато се използват и не могат да бъдат заменени по желание. MOS полевите транзистори лесно се разграждат от статично електричество поради високия им входен импеданс (включително MOS интегрални схеми). Обърнете внимание на следните правила, когато ги използвате:
MOS устройствата обикновено са опаковани в пластмасови торбички от черна проводяща пяна, когато напуснат фабриката. Не ги опаковайте в найлонова торбичка сами. Можете също да използвате тънки медни проводници, за да свържете щифтовете заедно, или да ги увиете в калаено фолио
Изваденото MOS устройство не може да се плъзне по пластмасовата дъска, а металната плоча се използва за задържане на устройството, което ще се използва.
Поялникът трябва да бъде добре заземен.
Преди заваряване, захранващата линия на платката трябва да бъде късо съединена със земната линия и след това MOS устройството трябва да бъде отделено след приключване на заваряването.
Последователността на заваряване на всеки щифт на MOS устройството е източване, източник и затвор. При разглобяване на машината последователността се обръща.
Преди да инсталирате платката, използвайте заземена жична скоба, за да докоснете клемите на машината и след това свържете платката.
Затворът на полевия транзистор с MOS е за предпочитане свързан със защитен диод, когато е позволено. Когато ремонтирате веригата, обърнете внимание, за да проверите дали оригиналният защитен диод е повреден.
4) VMOS полева тръба с ефект
VMOS полевата тръба с ефект (VMOSFET) е съкратено като VMOS тръба или тръба с ефект на силовото поле и пълното й име е V-groove MOS полева тръба. Това е новоразработен високоефективен превключвател на захранването след MOSFET
Парчета. Той не само наследява високия входен импеданс на MOS полевата тръба (≥108W), малък задвижващ ток (около 0.1μA), но също така има високо издържащо напрежение (до 1200V) и голям работен ток
(1.5A ～ 100A), висока изходна мощност (1 ～ 250W), добра линейност на транспроводимостта, бърза скорост на превключване и други отлични характеристики. Именно защото съчетава предимствата на електронните тръби и силовите транзистори в едно, така че напрежението
Усилвателите (усилване на напрежението до няколко хиляди пъти), усилвателите на мощност, превключващите захранвания и инверторите се използват широко.
Както всички знаем, затворът, източникът и източването на традиционния полеви транзистор с MOS се намират на чип, където портата, източникът и канализацията са приблизително на една и съща хоризонтална равнина и работният му ток основно тече в хоризонтална посока. VMOS тръбата е различна, от долната лява снимка можете
Могат да се видят две основни структурни характеристики: първо, металната порта приема V-образна структура; второ, има вертикална проводимост. Тъй като изтичането се изтегля от задната страна на чипа, идентификаторът не тече хоризонтално по чипа, но е силно легиран с N +
Започвайки от региона (източник S), той се влива в леко допираната N-дрейф зона през P канала и накрая достига дренаж D вертикално надолу. Посоката на тока е показана със стрелката на фигурата, тъй като площта на напречното сечение на потока е увеличена, така че може да премине голям ток. Защото в портата
Между полюса и чипа има изолационен слой от силициев диоксид, така че той все още е MOS полеви транзистор с изолирана порта.
Основните местни производители на полеви транзистори VMOS включват 877 Factory, Tianjin Semiconductor Device 401th Factory, Hangzhou Electron Tube Factory и др. Типичните продукти включват VN672, VN2, VMPTXNUMX и др.
5) Метод за откриване на тръба с полеви ефект VMOS
(1). Определете мрежата G. Поставете мултицета в положение R × 1k, за да измерите съпротивлението между трите щифта. Ако се установи, че съпротивлението на щифта и двата му щифта са безкрайно много и все още е безкрайно след размяна на тестовите проводници, се доказва, че този щифт е G полюс, тъй като е изолиран от другите два щифта.
(2). Определяне на източника S и канализацията D Както може да се види от фигура 1, има PN връзка между източника и канализацията. Следователно, според разликата в предното и обратното съпротивление на PN прехода, S полюсът и D полюсът могат да бъдат идентифицирани. Използвайте метода за обмен на метър за измерване на съпротивлението два пъти, а този с по-ниска стойност на съпротивлението (обикновено от няколко хиляди ома до десет хиляди ома) е съпротивлението напред. По това време черният изпитателен проводник е S полюс, а червеният е свързан с D полюс.
(3). Измерете съпротивлението RDS на включено състояние на източване (включено) за късо съединение на GS полюса. Изберете R × 1 предавката на мултиметъра. Свържете черния изпитателен проводник към S полюса и червения изпитателен проводник към D полюса. Съпротивлението трябва да бъде от няколко ома до повече от десет ома.
Поради различни условия на теста, измерената RDS (включена) стойност е по-висока от типичната стойност, дадена в ръководството. Например, IRFPC50 VMOS тръба се измерва с 500-тип мултицет R × 1 файл, RDS
(Включено) = 3.2 W, по-голямо от 0.58 W (типична стойност).
(4). Проверете проводимостта. Поставете мултицета в положение R × 1k (или R × 100). Свържете червения изпитателен проводник към S полюса, а черния изпитателен проводник към D полюса. Дръжте отвертка, за да докоснете решетката. Иглата трябва да се отклонява значително. Колкото по-голямо е отклонението, толкова по-голямо е отклонението на тръбата. Колкото по-висока е транспроводимостта.
6) Въпроси, които се нуждаят от внимание:
VMOS тръбите също са разделени на N-канални тръби и P-канални тръби, но повечето от продуктите са N-канални тръби. За P-каналните тръби положението на измервателните проводници трябва да се обменя по време на измерването.
Има няколко VMOS тръби със защитни диоди между GS, точки 1 и 2 в този метод за откриване вече не са приложими.
Понастоящем на пазара има и VMOS модул за захранване с тръби, който се използва специално за регулатори на скоростта и инвертори на променлив ток. Например модулът IRFT001, произведен от американската IR компания, има три N-канални и P-канални тръби вътре, образувайки трифазна мостова структура.
Продуктите от серията VNF (N-канал) са транзистори с ултрависокочестотни полеви ефекти, произведени от Supertex в САЩ. Най-високата му работна честота е fp = 120MHz, IDSM = 1A, PDM = 30W, общ източник малък сигнал, нискочестотна транспроводимост gm = 2000μS. Подходящ е за високоскоростни комутационни вериги и излъчвателно и комуникационно оборудване.
Когато се използва VMOS тръба, трябва да се добави подходящ радиатор. Като вземем за пример VNF306, максималната мощност може да достигне 30W след инсталиране на радиатор 140 × 140 × 4 (mm).
7) Сравнение на полевата тръба и транзистора
Ефективната тръба е елемент за управление на напрежението, а транзисторът е елемент за управление на тока. Когато позволява само по-малко ток да бъде изтеглен от източника на сигнал, трябва да се използва FET; и когато напрежението на сигнала е ниско и позволява да се изтегли повече ток от източника на сигнал, трябва да се използва транзистор.
Полевият транзистор използва мажоритарни носители за провеждане на електричество, така че се нарича еднополюсно устройство, докато транзисторът има както мажоритарни носители, така и малцинствени носители за провеждане на електричество. Нарича се биполярно устройство.
Източникът и източването на някои полеви транзистори могат да се използват взаимозаменяемо, а напрежението на затвора също може да бъде положително или отрицателно, което е по-гъвкаво от транзисторите.
Ефективната тръба за поле може да работи при много малък ток и много ниско напрежение, а нейният производствен процес може лесно да интегрира много лампи с полеви ефекти върху силициев чип, така че тръбата с ефекта на полето се използва в широкомащабни интегрални схеми. Широка гама от приложения.
|
|
|
|
Колко далеч (дълга) на капака на предавателя?
Диапазонът на предаване зависи от много фактори. Истинската разстоянието се основава на антената инсталиране височина, антена печалба, като се използва среда като сграда и други препятствия, чувствителността на приемника, антената на приемника. Инсталиране на антената по-високо и с помощта на село, на разстояние много ще по-далеч.
Пример 5W FM трансмитер използва в града и родния град:
Имам USA използване клиент 5W FM предавател с GP антена в родния си град, и той го тестваме с кола, да я покрие 10km (6.21mile).
Аз се тества FM трансмитер 5W с GP антена в родния ми град, тя обхваща около 2km (1.24mile).
Аз се тества FM трансмитер 5W с GP антена в град Гуанджоу, тя обхваща около само 300meter (984ft).
По-долу са приблизително в интервала от различни мощност FM трансмитери. (Диапазонът е диаметър)
0.1W ~ 5W FM трансмитер: 100M ~ 1KM
5W ~ 15W FM Ttransmitter: 1KM ~ 3KM
15W ~ 80W FM трансмитер: 3KM ~ 10KM
80W ~ 500W FM трансмитер: 10KM ~ 30KM
500W ~ 1000W FM трансмитер: 30KM ~ 50KM
1KW ~ 2KW FM трансмитер: 50KM ~ 100KM
2KW ~ 5KW FM трансмитер: 100KM ~ 150KM
5KW ~ 10KW FM трансмитер: 150KM ~ 200KM
Как да се свържете с нас за предавателя?
Обади ми + 8618078869184 OR
Изпрати ми имейл [имейл защитен]
1.How далеч искате да покрие в диаметър?
2.How висок от вас кула?
3.Where сте?
И ние ще ви даде по-професионален съвет.
За нас
FMUSER.ORG е компания за системна интеграция, фокусираща се върху безжичното предаване на RF / студио видео аудио оборудване / стрийминг и обработка на данни. Ние предлагаме всичко - от консултации и консултации чрез интегриране на стелажи до инсталация, пускане в експлоатация и обучение.
Предлагаме FM предавател, аналогов телевизионен предавател, цифров телевизионен предавател, VHF UHF предавател, антени, коаксиални кабелни конектори, STL, обработка на въздуха, излъчвани продукти за студиото, RF сигнален мониторинг, RDS енкодери, аудио процесори и дистанционни контролни единици, IPTV продукти, видео / аудио енкодер / декодер, предназначени да отговорят на нуждите както на големи международни излъчващи мрежи, така и на малки частни станции.
Нашето решение има FM радио станция / аналогова телевизионна станция / цифрова телевизионна станция / аудио видео студио оборудване / студио предавател връзка / предавател Телеметрична система / хотелска телевизионна система / IPTV на живо излъчване / стрийминг на живо излъчване / видео конференция / CATV излъчване система.
Ние използваме съвременни технологични продукти за всички системи, защото знаем, че високата надеждност и високата производителност са толкова важни за системата и решението. В същото време ние също трябва да се уверим, че системата ни продукти с много разумна цена.
Имаме клиенти на обществени и комерсиални оператори, телекомуникационни оператори и регулаторни органи, а също така предлагаме решения и продукти на много стотици по-малки, местни и общински телевизионни оператори.
FMUSER.ORG изнася повече от 15 години и има клиенти от цял свят. С 13 години опит в тази област, ние имаме професионален екип за решаване на всички видове проблеми на клиента. Ние сме посветени на предоставянето на изключително разумни цени на професионални продукти и услуги. Имейл за връзка: [имейл защитен]
Нашата фабрика
Ние имаме модернизация на фабриката. Вие сте добре дошли да посетите нашия завод, когато дойдете в Китай.
В момента вече има клиентите 1095 цял свят посетиха нашия Guangzhou Tianhe офис. Ако дойдете в Китай, вие сте добре дошли да ни посетите.
В Fair
Това е нашето участие в 2012 Global Източници Hong Kong Electronics Fair . Клиенти от цял свят най-накрая имаме шанс да се съберат заедно.
Къде е Fmuser?
Можете да търсите тези номера " 23.127460034623816,113.33224654197693 "в google map, тогава можете да намерите нашия офис на fmuser.
FMUSER Гуанджоу офис се намира в Област Tianhe което е център на кантон , много близо до към Canton Fair , ЖП гара Гуанджоу, xiaobei път и dashatou , Само трябва 10 минути ако се вземат TAXI , Добре дошли приятели от цял свят да посетят и да преговарят.
За контакти: Sky Blue
Cellphone: + 8618078869184
WhatsApp: + 8618078869184
Wechat: + 8618078869184
Мейл: [имейл защитен]
QQ: 727926717
Skype: sky198710021
Адрес: No.305 стая HuiLan Building No.273 Huanpu Road Гуанджоу Китай Zip: 510620
|
|
|
|
Английски: Приемаме всички плащания, като PayPal, кредитна карта, Western Union, Alipay, Money Bookers, T / T, LC, DP, DA, OA, Payoneer, Ако имате някакви въпроси, моля свържете се с мен [имейл защитен] или WhatsApp + 8618078869184
-
PayPal.  www.paypal.com
Препоръчваме ви да използвате Paypal да купуват нашите продукти, на PayPal е сигурен начин да се купуват по интернет.
Всеки от нашия списък т страница дъно на върха имат PayPal логото, за да плати.
Кредитна карта.Ако не разполагате с PayPal, но имате кредитна карта, можете също така да щракнете Жълтия бутон PayPal, за да платите с кредитна карта.
-------------------------------------------------- -------------------
Но ако имате не една кредитна карта и не имате PayPal акаунт или трудно да се получи PayPal разчетна, можете да използвате следното:
Western Union.  www.westernunion.com
Платете чрез Western Union за мен:
Първо име / Наименование: Yingfeng
Фамилия / Фамилия / Фамилия: Джанг
Пълно име: Yingfeng Zhang
Държава: Китай
Град: Гуанджоу
|
-------------------------------------------------- -------------------
T / T. Платете чрез T / T (банков превод / телеграфен превод / Bank Transfer)
ПЪРВА БАНКОВА ИНФОРМАЦИЯ (СЧЕТОВОДСТВО НА КОМПАНИЯТА):
SWIFT BIC: BKCHHKHHXXX
Име на банката: Банка на Китай (Хонг Конг) ООД, Хонг Конг
Банка Адрес: БАНКАТА НА КИТАЙ КИТАЙ, 1 ГРАДИНА ПЪТ, ЦЕНТРАЛНА, ХОНКОНГ
БАНК КОД: 012
Име на профила: FMUSER INTERNATIONAL GROUP LIMITED
Профил №. : 012-676-2-007855-0
-------------------------------------------------- -------------------
Втора ИНФОРМАЦИЯ ЗА БАНКАТА (КОМПАНИОННА СЧЕТ):
Бенефициент: Fmuser International Group Inc.
Номер на сметката: 44050158090900000337
Банка на бенефициента: Китайска строителна банка, клон Гуангдонг
SWIFT код: PCBCCNBJGDX
Адрес: NO.553 Tianhe Road, Гуанджоу, Гуангдонг, район Tianhe, Китай
** Забележка: Когато превеждате пари по нашата банкова сметка, моля, НЕ пишете нищо в полето за забележки, в противен случай няма да можем да получим плащането поради правителствената политика за международния търговски бизнес.
|
|
|
|
* Той ще бъде изпратен в 1-2 работни дни, когато плащането ясно.
* Ние ще го изпратите на вашия PayPal адрес. Ако искате да промените адреса, моля изпратете точен адрес и телефонен номер на моя имейл [имейл защитен]
* Ако пакетите е под 2kg, ние ще бъдат изпратени по пощата въздушна поща, това ще отнеме около 15-25days до ръката си.
Ако пакетът е повече от 2kg, ние ще се изпращат чрез EMS, DHL, UPS, Fedex бързо експресна доставка, това ще отнеме около 7 ~ 15days до ръката си.
Ако пакетът повече от 100kg, ние ще изпратим чрез DHL или въздушен транспорт. Това ще отнеме около 3 ~ 7days до ръката си.
Всички пакети са форма на Китай Гуанджоу.
* Пакетът ще бъде изпратен като "подарък" и ще бъде изчистен възможно най-малко, купувачът не трябва да плаща за "ДАНЪК".
* След кораб, ние ще Ви изпратим имейл и ще ви даде номер за проследяване.
|
|
|
За гаранция.
Свържете се с нас --- >> Върнете ни артикула --- >> Получете и изпратете нова замяна.
Име: Liu Xiaoxia
Адрес: 305Fang HuiLanGe HuangPuDaDaoXi 273Hao TianHeQu Гуанджоу Китай.
Пощенски код: 510620
Телефон: + 8618078869184
Моля, върнете се на този адрес и напишете своя PayPal адрес, име, проблем на бележка: |
|
